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提供了用于VFET栅极长度控制的技术。在一个方面，一种形成VFET器件的方法包括：在衬底中图案化鳍片；缘着所述鳍片的相对侧壁形成第一聚合物隔离物；通过所述第一聚合物隔离物形成与所述鳍片偏置的第二聚合物隔离物；去除对所述第二聚合物隔离物有选择...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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