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本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制备方法，包括在衬底基板上形成栅电极的图形、有源层的图形、源电极和漏电极的图形。在形成有源层的图形之前还形成导向结构和催化剂颗粒，利用催化剂颗粒与硅具有较低的共熔点、以非晶硅的吉布斯自由能大于结晶硅...
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