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一种SRAM存储器及其形成方法，方法包括：形成横跨第一鳍部和第二初始鳍部的初始栅极结构，上拉鳍切割区位于初始栅极结构的侧部；在半导体衬底、第一鳍部和第二初始鳍部上形成覆盖初始栅极结构侧壁的介质层；在介质层和初始栅极结构上形成掩膜层，掩膜层中...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。