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本发明提供一种凹槽芯片嵌入工艺，包括以下步骤：(a)提供硅片，并在硅片上表面刻蚀多个TSV孔，形成TSV区，然后形成第一钝化层，在第一钝化层和种子层；(b)电镀金属，使金属充满TSV孔形成金属柱；(c)将硅片下表面做减薄处理，刻蚀凹槽；(d...
该专利属于浙江集迈科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江集迈科微电子有限公司授权不得商用。

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