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本发明提供一种基于图形化工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N‑漂移层、N+缓冲层和P+集电层，并对选取的键合基片进行图形化处理；采用键合工艺对所述P+集电层和处理后的键合基片进行键合，之后去除SiC衬...该专利属于全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网浙江省电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网浙江省电力有限公司授权不得商用。