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一种电容器(100)及其制作方法，电容器(100)包括：半导体衬底(110)；第一绝缘层(120)，设置于半导体衬底(110)的下方；第一沟槽组(10)，设置于半导体衬底(110)和第一绝缘层(120)，第一沟槽组(10)包括至少两个第一沟...该专利属于深圳市汇顶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市汇顶科技股份有限公司授权不得商用。
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一种电容器(100)及其制作方法，电容器(100)包括：半导体衬底(110)；第一绝缘层(120)，设置于半导体衬底(110)的下方；第一沟槽组(10)，设置于半导体衬底(110)和第一绝缘层(120)，第一沟槽组(10)包括至少两个第一沟...