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功率半导体模块(10)包括具有金属化层(18)的衬底(12)；功率半导体芯片(14)，其结合到衬底(12)的金属化层(18)；以及金属板(24)，其与衬底(12)相反地结合到功率半导体芯片(14)。金属板(24)具有边界(36)，该边界(3...
该专利属于ABB电网瑞士股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过ABB电网瑞士股份公司授权不得商用。

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