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本发明提供了一种垂直型III‑V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制备方法，涉及半导体材料技术领域，本发明的垂直型III‑V族超晶格材料包括：具有倾角且呈台阶状的衬底，以及，位于衬底上且垂直衬底的超晶格半导体结构；超晶...
该专利属于湖南科莱特光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南科莱特光电有限公司授权不得商用。

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