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本发明公开了一种多态存储器、其制备方法和存储方法及人工突触器，该多态存储器具有多层薄膜结构，从下至上依次包括：自旋流产生层、第一交换偏置层、绝缘材料层、第二交换偏置层和上电极；其中，自旋流产生层用于产生对磁矩施加自旋轨道力矩的自旋流；第一交...
该专利属于兰州大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州大学授权不得商用。

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