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本发明属于红外传感器的研究领域，涉及一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的制备方法。本发明选用NiCr合金作为上电极和吸收层时的同时，利用“单晶热释电薄膜与NiCr合金膜的刻蚀速率差异”将其作为刻蚀掩膜实现多元红外传感器件的制备。本方法仅需一...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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