温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种基于反应离子刻蚀的黑硅钝化接触电池的制备方法。该方法包括：对制绒后的n型单晶硅基体前表面进行反应离子刻蚀处理，以在微米级的金字塔结构上形成纳米级孔洞结构；清洗n型单晶硅基体，以去除反应离子刻蚀过程中产生的残留物和离子轰击形成的...
该专利属于泰州中来光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰州中来光电科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。