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本发明实施例公开了一种侧向结构雪崩光电探测器及其制备方法，其中，所述侧向结构雪崩光电探测器包括：衬底，包括一第一半导体材料区；在第一半导体材料区内形成有雪崩区；第一外延生长层，形成为吸收区；第一外延生长层的上表面为吸光面且凸出于第一半导体材...
该专利属于武汉光谷信息光电子创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷信息光电子创新中心有限公司授权不得商用。

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