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本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种紫外光电二极管及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次制备第一接触层和台面结构，并在第一接触层上除台面结构之外区域制备下电极，形成第一样品；将制备的多层石墨烯薄膜转移到第一样品表面并刻蚀，在台面结构表面...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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