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本发明提供一种基于分子束外延技术的自成结半导体光电探测器及其制备方法，属于光电探测器件领域。本发明制备的光电探测器采用非对称PIN浅结结构，将Sb原子在分子束外延设备腔体内采用高温原位掺杂的方法掺杂进Ge薄膜中，将Ge改性为N型半导体；全程...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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