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本发明公开了一种低暗电流硅基锗探测器的制作方法，先在硅衬底上刻蚀出硅槽，在硅槽中外延生长纯锗层，并在纯锗层上完成波导结构刻蚀，形成锗波导结构，然后在锗波导结构的锗表面旋涂增附剂和负性光刻胶，并依次进行曝光、烘焙；最后对锗表面进行清洗并制作成...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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