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本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种光电二极管及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次制备第一接触层和设置有上电极的台面结构，形成第一样品；在第一样品上生长第一介质层并刻蚀，使在台面结构上表面形成石墨烯场板介质层；将制备的多层石墨烯薄膜转...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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