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本发明涉及一种具有高可靠性的氮化物器件及其制备方法。包括衬底、生长在衬底上的半导体外延层、栅极、源极以及漏极；外延层自下至上依次包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p型氮化物层、二次外延氮化物势垒层和二次...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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