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本发明公开了一种IGBT饱和导通电压测量电路，用于在IGBT饱和导通时测量饱和导通电压，所述电路包括二极管D1及相同型号的二极管D2，以分别用于与IGBT的集电极和发射极电连接，所述电路还包括电流源模块、电压转换模块及电压测量模块，所述电流...
该专利属于深圳青铜剑技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳青铜剑技术有限公司授权不得商用。

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