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本实用新型公开了一种具有Г型栅的GaN基MIS‑HEMT器件，所述器件包括AlGaN/GaN异质结外延层等结构，所述器件还包括一Г型栅电极，所述Г型栅电极包括栅帽和栅脚，栅脚的一端和栅帽的部分下表面连接，另一端和第二开口处部分暴露的栅介质层...该专利属于中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学授权不得商用。