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本发明公开了一种评估和监测介质层质量和可靠性的方法，它包括如下步骤：首先设定缺陷导致被测介质层击穿为电场击穿；施加电场于被测介质层导致介质层击穿而得到击穿电压Ｖ↓［ＢＤ］；设定被测介质层的介电强度为Ｅ↓［ＤＳ］，介电强度Ｅ↓［ＤＳ］在一定工...
该专利属于信息产业部电子第五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过信息产业部电子第五研究所授权不得商用。

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