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本发明提供一种正装集成单元二极管芯片，包括第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构；二极管台面结构包括n个二极管单元，其中，n≥2。n个二极管单元包括位于第一导电类型层上的量子阱有...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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