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本发明公开了一种用于光电探测的复合材料制备方法，属于材料制备技术领域。本发明在石墨烯薄膜上引入了氧化锌量子点，用于制造促进晶核生长的缺陷，有助于硫化铅薄膜的沉积。同时氧化锌作为宽禁带半导体材料具有优异的透光性与电学性，形成的异质结可以有效提...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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