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半导体材料硫化方法技术
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文档序号:26306569
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本发明公开了半导体材料硫化方法。本发明提供的方法包括以下步骤:将硫源与半导体材料置于不完全密封的容器,将所述不完全密封的容器置于反应器中加热进行硫化反应,得到硫化的半导体材料。本发明提供的半导体材料硫化方法可使半导体的晶粒尺寸变大,从而更好...
该专利属于东泰高科装备科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东泰高科装备科技有限公司授权不得商用。
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