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本发明公开了一种锗波导探测器侧壁浅结离子注入工艺，先在锗波导上光刻出N型侧壁注入区和第一接触区，然后采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对N型侧壁和第一接触区进行N型注入，之后在锗波导上光刻出P型侧壁注入区和第一接触区，再采用固定靶盘倾...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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