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本发明涉及包括LDMOS晶体管的半导体装置。在实施例中，一种半导体装置包括：半导体衬底，具有体电阻率ρ≥100 Ohm.cm、前表面和后表面；至少一个LDMOS晶体管，位于半导体衬底中；和RESURF结构。RESURF结构包括掺杂掩埋层，掺...
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