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本发明公开了一种IGBT栅极总线结构，包括衬底，沿衬底上表面一端从外到内依次设置的场氧化层和栅极多晶硅，场氧化层和栅极多晶硅之间留有空隙；还包括介质层，介质层覆盖于衬底的整个上表面以及场氧化层和栅极多晶硅的上表面，栅极多晶硅上表面的介质层内...
该专利属于南瑞联研半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过南瑞联研半导体有限责任公司授权不得商用。

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