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本发明提供一种光栅深刻蚀方法，该方法包括：光栅金属掩膜结构制备、反应离子束刻蚀、化学湿法腐蚀去除掩膜残留、倾斜镀制金属掩膜等过程。通过不断重复反应离子束刻蚀→残留掩膜去除→倾斜镀制金属掩膜→反应离子束刻蚀过程，可以在保持光栅占宽比的条件下逐...
该专利属于中国科学院上海光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海光学精密机械研究所授权不得商用。

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