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本发明提供了一种高功率单极脉冲磁控溅射CrSiCN膜的制备工艺，涉及基体材料表面镀膜技术领域。在镀膜沉淀步骤中，首先，进行打底离子镀膜(Cr)沉积；然后，进行过度层(CrN)沉积；最后，进行复合层(CrSiCN)沉积；通过在进行过度层(Cr...
该专利属于滨中元川金属制品(昆山)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过滨中元川金属制品(昆山)有限公司授权不得商用。

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