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本发明公开了一种基于垂向碳纳米管阵列的非转移式热界面材料及其方法。该热界面材料结构上从内而外依次分为生长基底层、固定层、垂向碳纳米管阵列三部分。通过在碳管阵列表面制备牺牲层,作为对阵列表面部分碳管的保护,在其内部填充固定层材料后,通过溶解或...该专利属于杭州英希捷科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州英希捷科技有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种基于垂向碳纳米管阵列的非转移式热界面材料及其方法。该热界面材料结构上从内而外依次分为生长基底层、固定层、垂向碳纳米管阵列三部分。通过在碳管阵列表面制备牺牲层,作为对阵列表面部分碳管的保护,在其内部填充固定层材料后,通过溶解或...