下载高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用的技术资料

文档序号:26299234

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用。具体地,本发明公开了一种硅氧烷单体,以所述单体固化所得树脂在高频下具有低介电常数和低介电损耗、高耐热性、良好加工性和低吸水率,特别适合用于制备高频电路板。...
该专利属于中国科学院上海有机化学研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海有机化学研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。