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本发明提供了一种基于类卤素原位钝化法的CdTe纳米晶制备方法，属于纳米晶技术领域。该技术方案将类卤素铵盐(硫氰酸铵、四氟硼酸铵、六氟磷酸铵)引入到制备CdTe纳米晶的前驱体溶液中，原位引入的类卤素基团(即硫氰酸基团、四氟硼酸基团、六氟磷酸基...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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