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氮化物半导体装置(10)具备依次被设置的基板(12)；漂移层(14)；第1基础层(16)；到达漂移层(14)的栅极开口部(22)；沿着栅极开口部(22)的内表面设置的电子传输层(24)和电子供给层(26)；以覆盖栅极开口部(22)的方式设置...
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