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本发明公开了一种VCSEL芯片及其制作方法，其中，VCSEL芯片包括半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面设置有若干横向以及竖向均匀排列的发射激光器腔，所述发射激光器腔内设置有发射激光器单元，所述发射激光器单元包括N型布拉格反射镜层，所述N型...
该专利属于江苏英弗德电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏英弗德电子有限公司授权不得商用。

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