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本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；所述上层硅片上设置有第一凹槽，在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；所述中层...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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