温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种高亮度深紫外LED芯片及其制作方法，所述高亮度深紫外LED芯片，包括外延层，所述外延层包括缓冲层，依次叠加设置在缓冲层上的N型GaN层，量子阱结构及P型GaN层，所述缓冲层相对于设置N型GaN层的另一面设置有纳米级图形。所述...
该专利属于黄山博蓝特半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过黄山博蓝特半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。