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本申请提供了一种去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池制备技术领域。该去除多晶硅绕镀的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底的第一表面形成有氧化层、掺杂多晶硅层和PSG层，半导体衬底的第二表面形成有扩散层、BS...
该专利属于晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司授权不得商用。

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