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本发明涉及一种集成新型刻蚀工艺JBS的SiC浮结UMOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：N+衬底层、第一N‑外延层、P+离子注入区、第二N‑外延层、第一P+注入区、第二P+注入区、栅电极、第一P‑阱区、第二P‑阱区、第一N+...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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