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根据半导体器件的实施例，该半导体器件包括：第一有源单元区，其包括第一多个平行栅极沟槽；第二有源单元区，其包括第二多个平行栅极沟槽；以及在第一和第二有源单元区上方的金属化层。金属化层包括：第一部分，其与第一和第二有源单元区中的多个平行栅极沟槽...
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