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本发明公开了一种GaN基高空穴迁移率晶体管及其制备方法，其结构包含衬底、缓冲层、势垒层、沟道层、插入层、p‑GaN层、源极、漏极、栅极以及钝化介质层。本发明通过引入含Al组分插入层，一方面可提升p‑GaN层与沟道层间的刻蚀选择比，增加刻蚀工...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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