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一种金刚石基氮化镓复合晶片及其键合制备方法，该晶片具有氮化镓/成核层/碳化硅/金属中间层/金刚石衬底、氮化镓/金属中间层/金刚石衬底、氮化镓/陶瓷膜层/金属中间层/金刚石衬底等结构，主要制备步骤为：减薄氮化镓的碳化硅衬底，或者将碳化硅衬底完...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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