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本发明涉及受光元件和电子设备。其中，所述受光元件可包括：第一沟槽部，所述第一沟槽部设置在半导体层中，所述半导体层在截面图中位于片上透镜和多层配线层之间；第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述截面图中位于所述半导体层中且邻近所述第一沟槽部；光电二极...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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