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一种三维铁电存储器结构及制造方法技术
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文档序号:26261594
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本发明公开了一种三维铁电存储器结构,包括:半导体衬底;第一互连结构;第一金属层;层叠在第一介质层上的第二介质层;铁电电容器,包括依次沉积在所述深孔的侧壁和底部的第一电极层、铁电材料层和第二电极层;第二互连结构;以及第二金属层,其形成于第三介...
该专利属于无锡拍字节科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡拍字节科技有限公司授权不得商用。
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