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本发明公开了一种基于直接键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管制备方法，包括：清洗碳化硅基氮化镓圆片和临时载片；碳化硅基氮化镓圆片与临时载片正面相对临时键合；去除碳化硅基氮化镓圆片的碳化硅衬底；清洗氮化镓外延层；在氮化镓外延层表面和金刚石衬底表面分...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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