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本发明公开一种二维纳米半导体材料掺杂方法，利用紫外光照和局部电场联合作用，实现了对二维纳米材料的可控性掺杂，可以形成单极性的n型器件和p型器件,且掺杂后的p型和n型器件；掺杂可逆，掺杂速度超快，掺杂周期在100ms以内；掺杂是非易失的，掺杂...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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