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本发明公开了一种超级结器件的制造方法，采用全平工艺实现，包括：步骤一、形成超级结，先在第一外延层中形成超级结沟槽，之后在再超级结沟槽中填充第二外延层并平坦化；步骤二、形成栅极结构，先形成栅极沟槽，之后再填充多晶硅栅并平坦化，在栅极结构的引出...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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