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本发明公开沿一维链状带方向择优生长的硫化锑薄膜及其制备方法。本发明在等离子发生器的电场作用下，惰性气体，如氩气经过电场作用后等离子化获得高活性的氩离子和电子；高活性氩离子和电子相互碰撞回归基态，释放能量使得环境温度升高，升高的环境温度可以促...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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