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本发明提供了一种表面增强拉曼散射基底，其包括：支撑衬底，呈直立状地生长于所述支撑衬底上的半导体纳米片阵列；以及，沉积于所述半导体纳米片阵列上的贵金属层。本发明还提供了如上所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法及其在检测待测物的拉曼信号的应用。...
该专利属于深圳先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳先进技术研究院授权不得商用。

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