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本发明公开了一种提高ZnTe晶体掺杂元素均匀性的方法，包括如下步骤：采用Te熔剂‑TGSM技术生长ZnTe电光晶体；将晶体在生长炉内低温区保温退火；将晶体锭条取出，进行定向切片，研磨和抛光，然后清洗干净并甩干备用；建立掺杂量与ZnTe晶体电...
该专利属于南京公诚节能新材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京公诚节能新材料研究院有限公司授权不得商用。

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