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本发明涉及半导体材料制备技术领域，更具体而言，涉及一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺，通过在多晶合成、单晶生长两个环节中添加与氧反应活性大的物资吸收了环境中及砷、镓以及石英管在高温过程中释放的氧，避免了氧对进入多晶及单晶。极大减弱了氧污染对材料...
该专利属于山西中科晶电信息材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西中科晶电信息材料有限公司授权不得商用。

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