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本发明公开了一种超高纯镉晶体的制备方法，属于高纯金属材料领域。本发明将原料镉在漏斗中熔料，以使其内的氧化渣料残留在漏斗中，从而使沿漏斗漏孔滴入或流入坩埚中的镉熔体无需经扒渣处理，即可光亮无氧化；另外，采用垂直提拉法对坩埚中的镉熔体进行提纯，...
该专利属于清远先导材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清远先导材料有限公司授权不得商用。

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